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　　LCOS是在傳統(tǒng)的LCD基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，它繼承了LCD技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)也克服了LCD的不足之處，所以LCOS擁有諸多LCD所不具備的優(yōu)點(diǎn)。

　　1. 首先LCD是在石英玻璃基板上生長(zhǎng)多晶硅，利用半導(dǎo)體技術(shù)在多晶硅(poly－silicon)上制作象素CMOS有源驅(qū)動(dòng)電路和存儲(chǔ)電容，這樣無(wú)疑會(huì)占用象素一定的面積，導(dǎo)致開(kāi)口率的。像素的開(kāi)口率達(dá)到96%。(LCD一般是85%)。因此圖像畫(huà)面沒(méi)有像素感，畫(huà)面邊緣更自然。

　　2. 由于多晶硅(P-LCD)中電子遷移速率低，渡越時(shí)間比較長(zhǎng)，所以顯示畫(huà)面會(huì)有延遲，直接影響到畫(huà)面的刷新速率。而在LCOS技術(shù)中，采用反射式結(jié)構(gòu)，渡越時(shí)間大大減少，顯示畫(huà)面延時(shí)和DLP技術(shù)相同，為12ms，而P-LCD的延時(shí)，在20ms左右。

　　3. 其次，LCOS是反射式顯示技術(shù)，可以避免LCD由于光源長(zhǎng)時(shí)間的照射溫升而導(dǎo)致LCD面板局部灼傷的問(wèn)題。

　　4. LCOS的驅(qū)動(dòng)電路做在反射電極下面，芯片的像素分辨率可以做得很高，通常LCOS的基本分辨率為1400×1050，而LCD和DLP的常規(guī)分辨率為1024×768。

　　5. LCOS的芯片為0.7"，而P-LCD的顯示芯片為1.3"，LCD面板尺寸過(guò)大，制作工藝難以保證顏色大面積的均勻性。

　　6. 體積�。篖COS可將驅(qū)動(dòng)IC等外圍線路完全整合至CMOS基板上，減少外圍IC以及引線的數(shù)目，降低了封裝成本，并使體積縮小，一般XGA(1024×768)TFT－LCD的外圍引線達(dá)到2500多條。

　　7. LCOS以單晶硅基板上的CMOS點(diǎn)陣取代多晶硅TFT點(diǎn)陣。相比之下，前者生產(chǎn)技術(shù)更為成熟。LCOS的整個(gè)工藝，可以分為前道的半導(dǎo)體CMOS制造和后道的夜景面板貼合封裝過(guò)程。前道(0.35mm半導(dǎo)體工藝)CMOS電路設(shè)計(jì)、仿真、制造及測(cè)試技術(shù)都已經(jīng)十分成熟，目前合格率可以達(dá)到90%以上；后道的液晶屏貼合封裝過(guò)程成品率為30%，但是隨著LCOS產(chǎn)品的發(fā)展和應(yīng)用的增加，LCOS的價(jià)格下降空間還是很大的。

　　從與LCOS相關(guān)聯(lián)的顯示技術(shù)進(jìn)行比較，它是與高溫多晶硅HTPS－LCD顯示技術(shù)，DMD(Digital Mirror Device)數(shù)字光處理顯示技術(shù)相對(duì)應(yīng)的。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，LCOS是直接與陰極射線顯像管(CRT)顯示技術(shù)、高溫多晶硅液晶(Ploy-Si LCD)穿透式顯示技術(shù)、DMD(Digital Micromirror Device)數(shù)字光學(xué)處理(DLP; Digital Light Projector)反射式顯示技術(shù)具有相等同的地位。這三項(xiàng)技術(shù)目前發(fā)展已經(jīng)相當(dāng)成熟，但LCOS將成為大屏幕高分辨率低成本投影顯示技術(shù)的新主流。


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