在很多應(yīng)用中，尤其是測試和測量領(lǐng)域，您都需要借助外部裝置或數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器設(shè)置反相降壓/升壓穩(wěn)壓器的輸出電壓。在常規(guī)的降壓拓?fù)渲�，這種操作很簡單：只需要借助一個帶有串聯(lián)電阻器的電壓電源、一個電流源或者一個DAC將電流導(dǎo)入反饋節(jié)點，如圖1所示。

    1.降壓拓?fù)涞目删幊屉妷?BR>　　但是，如果您需要改變降壓-升壓拓?fù)渲械碾娮杵鞯碾妷�，就有一點麻煩了。
　　您可以通過反相接地和VOUT電位并使集成電路的參考位于-VOUT電位而配置降壓-升壓拓?fù)渲械慕祲悍�(wěn)壓器。也就是說穩(wěn)壓器集成電路的接地腳位于-VOUT。由于穩(wěn)壓器的FB引腳位于-VOUT電位而非接地電位上，將電流導(dǎo)入FB引腳便有一點棘手。為將電流導(dǎo)入反相降壓-升壓拓?fù)渲械腇B引腳，您需要電平移動電壓源/DAC的信號。在本文中，我將向大家介紹一些不同的方法。
　　以德州儀器的LMZM33606為例。LMZM33606是一個額定輸入電壓為36V的降壓電源模塊，最大負(fù)載為6A。 圖2說明了如何將LMZM33606設(shè)置為反相降壓-升壓穩(wěn)壓器�！�

     2.LMZM33606反相降壓-升壓。
　　方法1：使用一個PNP的電平位移器
　　在這些降壓-升壓應(yīng)用中使用LMZM33606時，可以實現(xiàn)-15V至-5V的可編程輸出電壓范圍。通過電流源方法，您能夠以絕對量級調(diào)低穩(wěn)壓器的輸出。這樣，在設(shè)置反饋分頻器電阻器時，便可以將設(shè)計的默認(rèn)輸出設(shè)為-15V。添加外部電流源時，您可以將穩(wěn)壓器輸出設(shè)置為-5V。默認(rèn)輸出為-15V時，計算的高反饋值和低反饋值分別為：
　　RFBT = 100kΩ.
　RFBB = 7.42kΩ.
　　電平位移接地參考信號以將電流導(dǎo)入FB引腳的最簡單的方法是，使用單PNP型雙極性晶體管(BJT)。圖三說明了如何將一個單PNP作為電平位移器使用。

    3.用單PNP的部署。
　　PNP Q1的基極接地，反射極通過電阻器連接DAC/電壓源。電壓源高于PNP基地發(fā)射下拉(VBE)時，會產(chǎn)生等式1所述的電流：

    xt設(shè)定為50kΩ。FB節(jié)點可以應(yīng)用基爾霍夫電流定律，您可以使用等式2計算電流IX：

    等式2中代入等式1，得出等式3，由此可以計算出調(diào)整輸出電壓VOUT所需的編程電壓VX：

    等式3變成等式4，可以得出根據(jù)VX值進行變成的VOUT:

     等式4說明了VOUT對晶體管VBE的從屬關(guān)系。晶體管VBE本身取決于集電極電流，隨溫度變化時，會影響編程VOUT的精確度。
　　下一個方法說明了如何從等式中移除VBE。圖4所示是一個有兩個PNP晶體管的電路，所采用的連接方式可以抵消VBE的影響。
　　方法2：使用兩個PNP的電平位移器

    4.兩個PNP抵消VBE的部署。
　　本方法需要使用兩個PNP，最好是使用兩個組合包裝的PNP BJT，以確保兩個晶體管之間匹配良好。本方法還可以減少輸出電壓編程中的錯誤。
　　Q1晶體管的基極連接至程控電壓源。發(fā)射極經(jīng)由一個串聯(lián)電阻器RS連接至另一個正電軌，并且集電極接地。這樣便可以在晶體管的發(fā)射極形成一個VX + VBE電壓。Q2晶體管的發(fā)射極通過電阻器RX連接至Q1的發(fā)射極。RX設(shè)置導(dǎo)入FB節(jié)點的電流�；鶚O接地后，Q2發(fā)射極節(jié)點產(chǎn)生一個+VBE。等式5計算了流至發(fā)射極的電流（理想情況）：

    曾解釋過，晶體管的VBE取決于集電極電流，如等式6所述：

    其中IC為集電極電流，IS為飽和電流，VT為熱電壓。
　　如果兩個晶體管的集電極電流差異較大，則VBE不會完全彼此抵消。等式7闡述了晶體管兩個VBE之間的差異：

     簡化為等式8：

     其中X為兩個集電極電流的比率。
　　 如您所見，如果兩個集電極電流相同，則VBE將完全抵消。在圖4所示的配置中，設(shè)定RS的值時，需要確保集電極電流之間的差異不是太大。在本例中，我選擇的RS為10kΩ，RX為50kΩ。VBE的增量也會隨著VT而變化，它會隨著溫度變化而發(fā)生。
　　方法3：改良版威爾遜電流鏡
　　使用電流鏡匹配集電極電流是一個非常有效的方法。對此，相比常規(guī)的電流鏡，威爾遜電流鏡是一個更好的選擇。圖5是威爾遜電流鏡中使用的原理圖。

     5.爾遜電流鏡部署
　　本方法中，有另外一個BJT，基極連接至Q1的集電極。Q3的發(fā)射極連接至電流鏡的VBE結(jié)點。程控電流經(jīng)Q3晶體管的集電極流至FB引腳。
　　現(xiàn)在可暫時忽略電阻器RB，等式9按照以下方式計算導(dǎo)入本設(shè)置中的參考電流：

    等式10得出了導(dǎo)入電流與參考電流的比率。

    在晶體管的增量() 為較大的值時，可以看到威爾遜電流鏡的精度遠高于標(biāo)準(zhǔn)電流鏡。
　　威爾遜電流鏡不會完全消除對VBE的依賴性。但可以通過一個簡單的方法避開。將電阻器RB從源VX連接至電流鏡基極，如圖5所示，形成一個添加至參考電流IX的電流。將等式9改寫為等式11：

    等式12選擇RB：
　　

    等式13：
　　

     等式13中的VBE組件完全抵消，得出等式14：
　　

      等式14說明，導(dǎo)入FB節(jié)點的電流僅基于程控電壓，不受VBE影響。
　　  無論使用哪一種方法，都可以借助少數(shù)幾個組件為反相電軌創(chuàng)建一個程控輸出電壓。電路的復(fù)雜性依具體的系統(tǒng)要求而異。對于要求極高保真度的應(yīng)用，威爾遜電流鏡是最佳的解決方案，因為它可以得出與程控電壓最接近的響應(yīng)。